IXDD614D2TR
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
主动器件
上升/下降时间 25ns, 18ns
电源电压 4.5V ~ 35V
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-6
封装 TO-263-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IXDD614D2TR | IXYS Semiconductor | 14A 5LEAD TO-263 NON INVERTING | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IXDD614D2TR 品牌: IXYS Semiconductor 封装: Surface | 当前型号 | 14A 5LEAD TO-263 NON INVERTING | 当前型号 | |
型号: IXDD609D2TR 品牌: IXYS Semiconductor 封装: DFN | 功能相似 | 低边 IGBT MOSFET 灌:9A 拉:9A | IXDD614D2TR和IXDD609D2TR的区别 |