IXDD409SI
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IXYS Semiconductor
主动器件
IXDD409SI中文资料参数规格
技术参数
上升/下降时间 10 ns
输出接口数 1
下降时间Max 15 ns
上升时间Max 15 ns
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -55 ℃
电源电压 4.5V ~ 35V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
IXDD409SI引脚图与封装图
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在线购买IXDD409SI
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXDD409SI | IXYS Semiconductor | MOSFET DRVR 9A 1Out Lo Side Non-Inv 8Pin SOIC | 搜索库存 |
替代型号IXDD409SI
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXDD409SI 品牌： IXYS Semiconductor 封装： Surface | 当前型号 | MOSFET DRVR 9A 1Out Lo Side Non-Inv 8Pin SOIC | 当前型号 |
| 型号： IXDN409PI 品牌： IXYS Semiconductor 封装： Through | 类似代替 | MOSFET DRVR 9A 1Out Lo Side Non-Inv 8Pin PDIP | IXDD409SI和IXDN409PI的区别 |
| 型号： IXDD409PI 品牌： IXYS Semiconductor 封装： Through | 类似代替 | MOSFET DRVR 9A 1Out Lo Side Non-Inv 8Pin PDIP | IXDD409SI和IXDD409PI的区别 |
| 型号： IXDI409SI 品牌： IXYS Semiconductor 封装： Surface 9A | 类似代替 | MOSFET DRVR 9A 1Out Lo Side Inv 8Pin SOIC | IXDD409SI和IXDI409SI的区别 |