IXDN414PI
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
主动器件
IXDN414PI中文资料参数规格
技术参数
上升/下降时间 22ns, 20ns
电源电压 4.5V ~ 35V
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 DIP-8
外形尺寸
封装 DIP-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
IXDN414PI引脚图与封装图
暂无图片
替代型号IXDN414PI
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXDN414PI 品牌： IXYS Semiconductor 封装： Through | 当前型号 | IC DRIVER MOSF/IGBT 14A 8-DIP | 当前型号 |
| 型号： IXDI414PI 品牌： IXYS Semiconductor 封装： Through | 完全替代 | Driver 14A 1Out Lo Side Inv 8Pin PDIP | IXDN414PI和IXDI414PI的区别 |