IXDI509D1
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
主动器件
IXDI509D1中文资料参数规格
技术参数
上升/下降时间 25ns, 23ns
上升时间 45 ns
下降时间 40 ns
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -55 ℃
电源电压 4.5V ~ 30V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 VDFN-6
外形尺寸
封装 VDFN-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXDI509D1引脚图与封装图
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