IXDN509PI
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
主动器件
IXDN509PI中文资料参数规格
技术参数
上升/下降时间 25ns, 23ns
电源电压 4.5V ~ 30V
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 DIP-8
外形尺寸
封装 DIP-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXDN509PI引脚图与封装图
暂无图片
替代型号IXDN509PI
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXDN509PI 品牌： IXYS Semiconductor 封装： Through | 当前型号 | IC GATE DRIVER SGL 9A 8-DIP | 当前型号 |
| 型号： IXDN409PI 品牌： IXYS Semiconductor 封装： Through | 功能相似 | MOSFET DRVR 9A 1Out Lo Side Non-Inv 8Pin PDIP | IXDN509PI和IXDN409PI的区别 |
| 型号： IXDD409PI 品牌： IXYS Semiconductor 封装： Through | 功能相似 | MOSFET DRVR 9A 1Out Lo Side Non-Inv 8Pin PDIP | IXDN509PI和IXDD409PI的区别 |
| 型号： IXDD409SI 品牌： IXYS Semiconductor 封装： Surface | 功能相似 | MOSFET DRVR 9A 1Out Lo Side Non-Inv 8Pin SOIC | IXDN509PI和IXDD409SI的区别 |