IXDN414CI
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
主动器件
IXDN414CI中文资料参数规格
技术参数
上升/下降时间 22ns, 20ns
电源电压 4.5V ~ 35V
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-5
外形尺寸
封装 TO-220-5
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXDN414CI引脚图与封装图
暂无图片
替代型号IXDN414CI
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXDN414CI 品牌： IXYS Semiconductor 封装： Through | 当前型号 | IC DRIVER MOSF/IGBT 14A TO-220-5 | 当前型号 |
| 型号： IXDN614CI 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-220 | 类似代替 | IXDN 系列 35 V 14 A 1.5 Ohm 低压侧 超快 MOSFET 驱动器 - TO-220-5 | IXDN414CI和IXDN614CI的区别 |
| 型号： MIC4452CT 品牌： 微芯 封装： | 功能相似 | Driver 12A 1Out Lo Side Non-Inv 5Pin5+Tab TO-220 | IXDN414CI和MIC4452CT的区别 |