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IXDI409YI
IXYS Semiconductor 主动器件

IC MOSFET DRVR 9A LOSIDE TO263-5

Low-Side Gate Driver IC Inverting TO-263 D²Pak


得捷:
IC GATE DRVR LOW-SIDE TO263


Win Source:
9 Amp Low-Side Ultrafast MOSFET Driver | IC MOSFET DRVR 9A LOSIDE TO263-5


IXDI409YI中文资料参数规格
技术参数

上升/下降时间 10 ns

电源电压 4.5V ~ 35V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-6

外形尺寸

封装 TO-263-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXDI409YI引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IXDI409YI IXYS Semiconductor IC MOSFET DRVR 9A LOSIDE TO263-5 搜索库存
替代型号IXDI409YI
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IXDI409YI

品牌: IXYS Semiconductor

封装: Surface

当前型号

IC MOSFET DRVR 9A LOSIDE TO263-5

当前型号

型号: IXDD409YI

品牌: IXYS Semiconductor

封装: Surface 35V 9A 5Pin

完全替代

门驱动器 40V 9A

IXDI409YI和IXDD409YI的区别

型号: IXDN409YI

品牌: IXYS Semiconductor

封装: Surface

完全替代

IC MOSFET DRVR 9A LOSIDE TO263-5

IXDI409YI和IXDN409YI的区别

型号: IXDN630YI

品牌: IXYS Semiconductor

封装: TO-263

功能相似

低边 IGBT MOSFET 灌:30A 拉:30A

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