IXDN409SI
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
主动器件
IXDN409SI中文资料参数规格
技术参数
上升/下降时间 10 ns
上升时间 15 ns
下降时间 15 ns
电源电压 4.5V ~ 35V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
IXDN409SI引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IXDN409SI
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXDN409SI | IXYS Semiconductor | MOSFET DRVR 9A 1Out Lo Side Non-Inv 8Pin SOIC | 搜索库存 |
替代型号IXDN409SI
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXDN409SI 品牌： IXYS Semiconductor 封装： Surface | 当前型号 | MOSFET DRVR 9A 1Out Lo Side Non-Inv 8Pin SOIC | 当前型号 |
| 型号： IXDN609SIA 品牌： IXYS Semiconductor 封装： SOIC-8 | 类似代替 | IXDN609 系列 35 V 9 A 表面贴装 低边 Ultrafast MOSFET 驱动器 - SOIC-8 | IXDN409SI和IXDN609SIA的区别 |
| 型号： IXDN609SI 品牌： IXYS Semiconductor 封装： SOIC-8 | 类似代替 | IXD_609 系列 35 V 9 A 表面贴装 低边 Ultrafast MOSFET 驱动器 - SOIC-8EP | IXDN409SI和IXDN609SI的区别 |
| 型号： IXDN609SITR 品牌： IXYS Semiconductor 封装： SOIC-8 | 类似代替 | 低边 IGBT MOSFET 灌:9A 拉:9A | IXDN409SI和IXDN609SITR的区别 |