IXDD509SIAT/R
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
主动器件
IXDD509SIAT/R中文资料参数规格
技术参数
上升/下降时间 25ns, 23ns
电源电压 4.5V ~ 30V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXDD509SIAT/R引脚图与封装图
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在线购买IXDD509SIAT/R
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXDD509SIAT/R | IXYS Semiconductor | IC GATE DRIVER 9A 8-SOIC | 搜索库存 |
替代型号IXDD509SIAT/R
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXDD509SIAT/R 品牌： IXYS Semiconductor 封装： Surface | 当前型号 | IC GATE DRIVER 9A 8-SOIC | 当前型号 |
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