IXDI430YI
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
主动器件
IXDI430YI中文资料参数规格
技术参数
上升/下降时间 18ns, 16ns
输出接口数 1
输出电流 30 A
耗散功率 2000 mW
上升时间 20 ns
下降时间 18 ns
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min 55 ℃
电源电压 8.5V ~ 35V
电源电压Min 8.5 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-6
外形尺寸
封装 TO-263-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXDI430YI引脚图与封装图
暂无图片
替代型号IXDI430YI
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXDI430YI 品牌： IXYS Semiconductor 封装： Surface | 当前型号 | IC DRVR MOSF/IGBT 30A TO263-5 | 当前型号 |
| 型号： IXDN430MYI 品牌： IXYS Semiconductor 封装： Surface | 完全替代 | IC MOSFET/IGBT DRIVER TO-263 | IXDI430YI和IXDN430MYI的区别 |
| 型号： IXDD430MYI 品牌： IXYS Semiconductor 封装： Surface | 完全替代 | IC DRVR MOSF/IGBT 30A TO263-5 | IXDI430YI和IXDD430MYI的区别 |
| 型号： IXDI430MYI 品牌： IXYS Semiconductor 封装： Surface | 完全替代 | IC DRVR MOSF/IGBT 30A TO263-5 | IXDI430YI和IXDI430MYI的区别 |
