IXDI430MYI
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
主动器件
上升/下降时间 18ns, 16ns
电源电压 8.5V ~ 35V
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-6
封装 TO-263-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IXDI430MYI | IXYS Semiconductor | IC DRVR MOSF/IGBT 30A TO263-5 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IXDI430MYI 品牌: IXYS Semiconductor 封装: Surface | 当前型号 | IC DRVR MOSF/IGBT 30A TO263-5 | 当前型号 | |
型号: IXDN430MYI 品牌: IXYS Semiconductor 封装: Surface | 完全替代 | IC MOSFET/IGBT DRIVER TO-263 | IXDI430MYI和IXDN430MYI的区别 | |
型号: IXDD430MYI 品牌: IXYS Semiconductor 封装: Surface | 完全替代 | IC DRVR MOSF/IGBT 30A TO263-5 | IXDI430MYI和IXDD430MYI的区别 |