IXDD430MCI
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IXYS Semiconductor
主动器件
IXDD430MCI中文资料参数规格
技术参数
上升/下降时间 18ns, 16ns
输出接口数 1
输出电流 30 A
耗散功率 2000 mW
上升时间 20 ns
下降时间 18 ns
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min 55 ℃
电源电压 8.5V ~ 35V
电源电压Min 8.5 V
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-5
外形尺寸
封装 TO-220-5
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Box
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXDD430MCI引脚图与封装图
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在线购买IXDD430MCI
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXDD430MCI | IXYS Semiconductor | IC DRVR MOSF/IGBT 30A TO220-5 | 搜索库存 |
替代型号IXDD430MCI
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXDD430MCI 品牌： IXYS Semiconductor 封装： Through | 当前型号 | IC DRVR MOSF/IGBT 30A TO220-5 | 当前型号 |
| 型号： IXDI430MCI 品牌： IXYS Semiconductor 封装： Through | 完全替代 | IC DRVR MOSF/IGBT 30A TO220-5 | IXDD430MCI和IXDI430MCI的区别 |
| 型号： IXDN430MCI 品牌： IXYS Semiconductor 封装： Through | 完全替代 | IC DRVR MOSF/IGBT 30A TO220-5 | IXDD430MCI和IXDN430MCI的区别 |
| 型号： IXDD430CI 品牌： IXYS Semiconductor 封装： SFM | 完全替代 | IC DRVR MOSF/IGBT 30A TO220-5 | IXDD430MCI和IXDD430CI的区别 |
