IXDF502D1T/R
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
主动器件
IXDF502D1T/R中文资料参数规格
技术参数
上升/下降时间 7.5ns, 6.5ns
电源电压 4.5V ~ 30V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 VDFN-6
外形尺寸
封装 VDFN-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXDF502D1T/R引脚图与封装图
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