ISL6613AEIBZ
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Intersil
英特矽尔
主动器件
ISL6613AEIBZ中文资料参数规格
技术参数
电源电压DC 13.2V max
上升/下降时间 26ns, 18ns
输出接口数 2
输出电流 3 A
耗散功率 2 W
上升时间 26 ns
下降时间 18 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min 40 ℃
耗散功率Max 2000 mW
电源电压 10.8V ~ 13.2V
电源电压Max 13.2 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 4.98 mm
宽度 3.99 mm
高度 1.55 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ISL6613AEIBZ引脚图与封装图 
ISL6613AEIBZ引脚图
ISL6613AEIBZ封装图
ISL6613AEIBZ封装焊盘图
在线购买ISL6613AEIBZ
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| ISL6613AEIBZ | Intersil 英特矽尔 | 与预POR过压保护先进的同步整流降压MOSFET驱动器 Advanced Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers with Pre-POR OVP | 搜索库存 |
替代型号ISL6613AEIBZ
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： ISL6613AEIBZ 品牌： Intersil 英特矽尔 封装： SOIC-8 13.2V | 当前型号 | 与预POR过压保护先进的同步整流降压MOSFET驱动器 Advanced Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers with Pre-POR OVP | 当前型号 |
| 型号： ISL6613AEIB 品牌： 英特矽尔 封装： Surface 13.2V | 完全替代 | 与预POR过压保护先进的同步整流降压MOSFET驱动器 Advanced Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers with Pre-POR OVP | ISL6613AEIBZ和ISL6613AEIB的区别 |
| 型号： ISL6613AEIBZ-T 品牌： 英特矽尔 封装： SOIC-8 10.8V 8Pin | 功能相似 | 与预POR过压保护先进的同步整流降压MOSFET驱动器 Advanced Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers with Pre-POR OVP | ISL6613AEIBZ和ISL6613AEIBZ-T的区别 |