电源电压DC 13.2V max
上升/下降时间 26ns, 18ns
输出接口数 4
输出电流 3 A
耗散功率 1 W
上升时间 26 ns
下降时间 18 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min 0 ℃
耗散功率Max 1000 mW
电源电压 10.8V ~ 13.2V
电源电压Max 13.2 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 14
封装 SOIC-14
长度 8.65 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-14
工作温度 0℃ ~ 125℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ISL6614ACBZ-T引脚图
ISL6614ACBZ-T封装图
ISL6614ACBZ-T封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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ISL6614ACBZ-T | Intersil 英特矽尔 | 与预POR过压保护的双高级同步整流降压MOSFET驱动器 Dual Advanced Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers with Pre-POR OVP | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: ISL6614ACBZ-T 品牌: Intersil 英特矽尔 封装: SOIC 13.2V 14Pin | 当前型号 | 与预POR过压保护的双高级同步整流降压MOSFET驱动器 Dual Advanced Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers with Pre-POR OVP | 当前型号 | |
型号: ISL6614ACBZA-T 品牌: 英特矽尔 封装: SOIC 13.2V 14Pin | 完全替代 | 与预POR过压保护的双高级同步整流降压MOSFET驱动器 Dual Advanced Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers with Pre-POR OVP | ISL6614ACBZ-T和ISL6614ACBZA-T的区别 | |
型号: ISL6614ACBZ 品牌: 英特矽尔 封装: SOIC-Narrow-14 13.2V 14Pin | 类似代替 | 与预POR过压保护的双高级同步整流降压MOSFET驱动器 Dual Advanced Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers with Pre-POR OVP | ISL6614ACBZ-T和ISL6614ACBZ的区别 | |
型号: ISL6614AIBZ 品牌: 英特矽尔 封装: | 类似代替 | 与预POR过压保护的双高级同步整流降压MOSFET驱动器 Dual Advanced Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers with Pre-POR OVP | ISL6614ACBZ-T和ISL6614AIBZ的区别 |