上升/下降时间 26ns, 18ns
输出接口数 2
输出电流 3 A
上升时间 26 ns
下降时间 18 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 6.8V ~ 13.2V
安装方式 Surface Mount
封装 DFN-10
长度 3 mm
宽度 3 mm
高度 1 mm
封装 DFN-10
工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ
产品生命周期 Active
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ISL6622IRZ-T引脚图
ISL6622IRZ-T封装图
ISL6622IRZ-T封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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ISL6622IRZ-T | Intersil 英特矽尔 | 门驱动器 SYNCH BUCK MSFT HV DRVR VR11 1 IND 10LD | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: ISL6622IRZ-T 品牌: Intersil 英特矽尔 封装: DFN-EP-10 | 当前型号 | 门驱动器 SYNCH BUCK MSFT HV DRVR VR11 1 IND 10LD | 当前型号 | |
型号: ISL6622IRZ 品牌: 英特矽尔 封装: DFN | 完全替代 | VR11.1兼容同步整流降压MOSFET驱动器 VR11.1 Compatible Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers | ISL6622IRZ-T和ISL6622IRZ的区别 | |
型号: ISL6622CBZ 品牌: 英特矽尔 封装: SOIC-8 | 类似代替 | VR11.1兼容同步整流降压MOSFET驱动器 VR11.1 Compatible Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers | ISL6622IRZ-T和ISL6622CBZ的区别 | |
型号: ISL6622CRZ 品牌: 瑞萨电子 封装: | 类似代替 | 半桥 MOSFET 灌:1.25A 拉:2A | ISL6622IRZ-T和ISL6622CRZ的区别 |