ISL6608CBZ
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Intersil
英特矽尔
主动器件
ISL6608CBZ中文资料参数规格
技术参数
电源电压DC 5.50V max
上升/下降时间 8 ns
输出接口数 2
输出电流 4 A
耗散功率 800 mW
上升时间 8 ns
下降时间 8 ns
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
电源电压 4.5V ~ 5.5V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 0℃ ~ 125℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ISL6608CBZ引脚图与封装图 
ISL6608CBZ引脚图
ISL6608CBZ封装图
ISL6608CBZ封装焊盘图
在线购买ISL6608CBZ
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| ISL6608CBZ | Intersil 英特矽尔 | 同步整流MOSFET驱动器 Synchronous Rectified MOSFET Driver | 搜索库存 |
替代型号ISL6608CBZ
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： ISL6608CBZ 品牌： Intersil 英特矽尔 封装： SOIC-Narrow-8 5.5V 8Pin | 当前型号 | 同步整流MOSFET驱动器 Synchronous Rectified MOSFET Driver | 当前型号 |
| 型号： ISL6608CB 品牌： 英特矽尔 封装： | 完全替代 | 同步整流MOSFET驱动器 Synchronous Rectified MOSFET Driver | ISL6608CBZ和ISL6608CB的区别 |
| 型号： ISL6608IBZ 品牌： 瑞萨电子 封装： | 类似代替 | Synchronous Rectified MOSFET Driver with Pre-Biased Load Startup Capability | ISL6608CBZ和ISL6608IBZ的区别 |
| 型号： ISL6608IBZ-T 品牌： 瑞萨电子 封装： | 类似代替 | Synchronous Rectified MOSFET Driver with Pre-Biased Load Startup Capability | ISL6608CBZ和ISL6608IBZ-T的区别 |