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IRS210614STRPBF

IRS210614STRPBF

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 主动器件

600V High and Low Side Driver IC with typical 0.29A source and 0.6A sink currents in 14 Lead SOIC package for IGBTs and MOSFETs.

半桥 栅极驱动器 IC 非反相 14-SOIC


得捷:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC


艾睿:
Driver 600V 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Non-Inv 14-Pin SOIC N T/R


Chip1Stop:
Driver 600V 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Non-Inv 14-Pin SOIC N T/R


IRS210614STRPBF中文资料参数规格
技术参数

上升/下降时间 100ns, 35ns

输出电流 0.29 A

电源电压 10V ~ 20V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-14

外形尺寸

封装 SOIC-14

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IRS210614STRPBF引脚图与封装图
IRS210614STRPBF电路图

IRS210614STRPBF电路图

在线购买IRS210614STRPBF
型号 制造商 描述 购买
IRS210614STRPBF Infineon 英飞凌 600V High and Low Side Driver IC with typical 0.29A source and 0.6A sink currents in 14 Lead SOIC package for IGBTs and MOSFETs. 搜索库存
替代型号IRS210614STRPBF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IRS210614STRPBF

品牌: Infineon 英飞凌

封装: SOIC-Narrow-14

当前型号

600V High and Low Side Driver IC with typical 0.29A source and 0.6A sink currents in 14 Lead SOIC package for IGBTs and MOSFETs.

当前型号

型号: IRS21064STRPBF

品牌: 英飞凌

封装: REEL 10V 14Pin

完全替代

P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

IRS210614STRPBF和IRS21064STRPBF的区别

型号: IRS210614SPBF

品牌: 英飞凌

封装: SOIC-Narrow-14

完全替代

MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器,半桥,InfineonInfineon 系列高电压端和低电压端半桥 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器 IC栅极驱动电源范围从 6 V 到 20 V CMOS 施密特触发器输入 两个独立的栅极驱动器 匹配的传播延迟,用于两个通道 输出相位,带输入 无铅,符合 RoHS ### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon International Rectifier

IRS210614STRPBF和IRS210614SPBF的区别