ISL89163FBEBZ-T
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Intersil
英特矽尔
主动器件
ISL89163FBEBZ-T中文资料参数规格
技术参数
上升/下降时间 20 ns
输出接口数 2
输出电流 6 A
耗散功率 33.3 W
上升时间 20 ns
下降时间 20 ns
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min 40 ℃
耗散功率Max 33300 mW
电源电压 4.5V ~ 16V
电源电压Max 16 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 4.98 mm
宽度 3.99 mm
高度 1.47 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 125℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ISL89163FBEBZ-T引脚图与封装图 
ISL89163FBEBZ-T引脚图
ISL89163FBEBZ-T封装图
ISL89163FBEBZ-T封装焊盘图
在线购买ISL89163FBEBZ-T
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| ISL89163FBEBZ-T | Intersil 英特矽尔 | MOSFET驱动器 | 搜索库存 |
替代型号ISL89163FBEBZ-T
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： ISL89163FBEBZ-T 品牌： Intersil 英特矽尔 封装： SOIC-EP-8 | 当前型号 | MOSFET驱动器 | 当前型号 |
| 型号： ISL89163FBEBZ 品牌： 英特矽尔 封装： SOIC-EP-8 | 类似代替 | 6A,高速2通道MOSFET驱动器带使能输入 | ISL89163FBEBZ-T和ISL89163FBEBZ的区别 |