IXTP16N50P
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXTP16N50P中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 500 V
额定电流 16.0 A
针脚数 3
漏源极电阻 0.4 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 300 W
阈值电压 5.5 V
输入电容 2.25 nF
栅电荷 43.0 nC
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 16.0 A
上升时间 25 ns
反向恢复时间 400 ns
输入电容Ciss 2250pF @25VVds
额定功率Max 300 W
下降时间 22 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Power Management, 电机驱动与控制, 机器人, Robotics, 电源管理, Motor Drive & Control
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
IXTP16N50P引脚图与封装图
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在线购买IXTP16N50P
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXTP16N50P | IXYS Semiconductor | IXYS SEMICONDUCTOR IXTP16N50P 晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 16 A, 500 V, 400 mohm, 10 V, 5.5 V | 搜索库存 |
替代型号IXTP16N50P
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXTP16N50P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-220 N-Channel 500V 16A 2.25nF | 当前型号 | IXYS SEMICONDUCTOR IXTP16N50P 晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 16 A, 500 V, 400 mohm, 10 V, 5.5 V | 当前型号 |
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