ISL89400ABZ-T
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Intersil
英特矽尔
主动器件
ISL89400ABZ-T中文资料参数规格
技术参数
上升/下降时间 16 ns
输出接口数 2
耗散功率 2270 mW
下降时间Max 1000 ns
上升时间Max 1000 ns
耗散功率Max 2270 mW
电源电压 9V ~ 14V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 125℃
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ISL89400ABZ-T引脚图与封装图 
ISL89400ABZ-T引脚图
ISL89400ABZ-T封装图
ISL89400ABZ-T封装焊盘图
在线购买ISL89400ABZ-T
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| ISL89400ABZ-T | Intersil 英特矽尔 | MOSFET DRVR 1.25A 2Out Hi/Lo Side Half Brdg Non-Inv 8Pin SOIC N T/R | 搜索库存 |
替代型号ISL89400ABZ-T
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： ISL89400ABZ-T 品牌： Intersil 英特矽尔 封装： SOIC-8 | 当前型号 | MOSFET DRVR 1.25A 2Out Hi/Lo Side Half Brdg Non-Inv 8Pin SOIC N T/R | 当前型号 |
| 型号： ISL89400ABZ 品牌： 英特矽尔 封装： SOIC-8 | 完全替代 | 100V ， 1.25A峰值，高频半桥驱动器 100V, 1.25A Peak, High Frequency Half-Bridge Drivers | ISL89400ABZ-T和ISL89400ABZ的区别 |