IRS2608DSTRPBF
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
主动器件
IRS2608DSTRPBF中文资料参数规格
技术参数
上升/下降时间 150ns, 50ns
输出接口数 2
输出电流 200 mA
耗散功率 625 mW
上升时间 220 ns
下降时间 80 ns
下降时间Max 80 ns
上升时间Max 220 ns
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min 40 ℃
耗散功率Max 625 mW
电源电压 10V ~ 20V
电源电压Max 20 V
电源电压Min 10 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IRS2608DSTRPBF引脚图与封装图 
IRS2608DSTRPBF电路图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| IRS2608DSTRPBF | Infineon 英飞凌 | MOSFET DRVR 600V 2Out Hi/Lo Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8Pin SOIC T/R | 搜索库存 |