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IXDD614SI
IXYS Semiconductor 主动器件

IXD_614 系列 35 V 14 A 0.8 Ohm 低压侧 超快 MOSFET 驱动器 - SOIC-8

低端 栅极驱动器 IC 非反相 8-SOIC-EP


得捷:
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC


立创商城:
低边 IGBT MOSFET 灌:14A 拉:14A


艾睿:
Ixys Corporation&s;s IXDD614SI power driver will help with fast switching within your circuit. This device has a maximum propagation delay time of 70 ns. In order to ensure parts aren&s;t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This gate driver has a minimum operating temperature of -40 °C and a maximum of 125 °C. This device has a minimum operating supply voltage of 4.5 V and a maximum of 35 V.


Chip1Stop:
Driver 14A 1-OUT Low Side Non-Inv Automotive 8-Pin SOIC EP Tube


TME:
Driver; low-side switch, gate driver; -14÷14A; Channels:1; SO8-EP


Verical:
Driver 14A 1-OUT Low Side Non-Inv Automotive 8-Pin SOIC EP Tube


IXDD614SI中文资料参数规格
技术参数

上升/下降时间 25ns, 18ns

输出接口数 1

上升时间 35 ns

输出电流Max 14 A

下降时间 25 ns

下降时间Max 25 ns

上升时间Max 35 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 4.5V ~ 35V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

IXDD614SI引脚图与封装图
IXDD614SI引脚图

IXDD614SI引脚图

IXDD614SI封装焊盘图

IXDD614SI封装焊盘图

在线购买IXDD614SI
型号 制造商 描述 购买
IXDD614SI IXYS Semiconductor IXD_614 系列 35 V 14 A 0.8 Ohm 低压侧 超快 MOSFET 驱动器 - SOIC-8 搜索库存
替代型号IXDD614SI
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IXDD614SI

品牌: IXYS Semiconductor

封装: SOIC

当前型号

IXD_614 系列 35 V 14 A 0.8 Ohm 低压侧 超快 MOSFET 驱动器 - SOIC-8

当前型号

型号: IXDD614SITR

品牌: IXYS Semiconductor

封装: SOIC-8

类似代替

IXD_614 系列 35 V 14 A 0.8 Ohm 低压侧 超快 MOSFET 驱动器 - SOIC-8

IXDD614SI和IXDD614SITR的区别

型号: UCC27322D

品牌: 德州仪器

封装: SOIC 4V 9A 8Pin

功能相似

TEXAS INSTRUMENTS  UCC27322D  驱动器, MOSFET, 低压侧, 4V-15V电源, 9A输出, 35ns延迟, SOIC-8

IXDD614SI和UCC27322D的区别