锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

ISL6609IBZ

ISL6609IBZ

数据手册.pdf
Intersil 英特矽尔 主动器件
ISL6609IBZ中文资料参数规格
技术参数

上升/下降时间 8 ns

输出接口数 2

耗散功率 800 mW

输出电流Max 4 A

下降时间Max 8 ns

上升时间Max 8 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 800 mW

电源电压 4.5V ~ 5.5V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

ISL6609IBZ引脚图与封装图
ISL6609IBZ引脚图

ISL6609IBZ引脚图

ISL6609IBZ封装图

ISL6609IBZ封装图

ISL6609IBZ封装焊盘图

ISL6609IBZ封装焊盘图

在线购买ISL6609IBZ
型号 制造商 描述 购买
ISL6609IBZ Intersil 英特矽尔 同步整流MOSFET驱动器 Synchronous Rectified MOSFET Driver 搜索库存
替代型号ISL6609IBZ
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: ISL6609IBZ

品牌: Intersil 英特矽尔

封装: SOIC

当前型号

同步整流MOSFET驱动器 Synchronous Rectified MOSFET Driver

当前型号

型号: ISL6605IRZ

品牌: 英特矽尔

封装: QFN 5.5V 8Pin

完全替代

同步整流MOSFET驱动器 Synchronous Rectified MOSFET Driver

ISL6609IBZ和ISL6605IRZ的区别

型号: ISL6609CRZ-T

品牌: 英特矽尔

封装: QFN 5.5V 8Pin

完全替代

同步整流MOSFET驱动器 Synchronous Rectified MOSFET Driver

ISL6609IBZ和ISL6609CRZ-T的区别

型号: ISL6605IBZ-T

品牌: 英特矽尔

封装: SOIC-8 5.5V 8Pin

完全替代

MOSFET DRVR 4A 2Out Hi/Lo Side Inv/Non-Inv 8Pin SOIC N T/R

ISL6609IBZ和ISL6605IBZ-T的区别