IRS21952STRPBF
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
主动器件
上升/下降时间 25 ns
输出接口数 3
耗散功率 1000 mW
下降时间Max 70 ns
上升时间Max 70 ns
耗散功率Max 1000 mW
电源电压 10V ~ 20V
安装方式 Surface Mount
封装 SOIC-16
封装 SOIC-16
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IRS21952STRPBF电路图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IRS21952STRPBF | Infineon 英飞凌 | MOSFET DRVR 600V 0.5A 3Out Hi/Lo Side Non-Inv 16Pin SOIC N T/R | 搜索库存 |