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IR2131STRPBF

IR2131STRPBF

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 主动器件

P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

Summary of Features:

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Floating channel designed for bootstrap operation
.
Fully operational to +600 V
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Tolerant to negative transient voltage dV/dt immune
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Gate drive supply range from 10 to 20 V
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Undervoltage lockout for all channels
.
Over-current shutdown turns off all six drivers
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Independent 3 high side and 3 low side drivers
.
Matched propagation delay for all channels
.
2.5 V logic compatible
.
Outputs out of phase with inputs
IR2131STRPBF中文资料参数规格
技术参数

上升/下降时间 80ns, 40ns

输出接口数 6

输出电流 160 mA

耗散功率 1600 mW

上升时间 150 ns

下降时间 100 ns

下降时间Max 100 ns

上升时间Max 150 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min 40 ℃

耗散功率Max 1600 mW

电源电压 10V ~ 20V

电源电压Max 20 V

电源电压Min 10 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 28

封装 SOIC-28

外形尺寸

长度 18.1 mm

宽度 7.6 mm

高度 2.35 mm

封装 SOIC-28

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

IR2131STRPBF引脚图与封装图
IR2131STRPBF电路图

IR2131STRPBF电路图

在线购买IR2131STRPBF
型号 制造商 描述 购买
IR2131STRPBF Infineon 英飞凌 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3 搜索库存
替代型号IR2131STRPBF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IR2131STRPBF

品牌: Infineon 英飞凌

封装: REEL

当前型号

P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

当前型号

型号: IR2131S

品牌: 英飞凌

封装: Surface 20V 28Pin

完全替代

Driver 600V 0.5A 6Out Hi/Lo Side Inv 28Pin SOIC W

IR2131STRPBF和IR2131S的区别

型号: IR2131STR

品牌: 英飞凌

封装: Surface 20V 28Pin

完全替代

Driver 600V 0.5A 6Out Hi/Lo Side Inv 28Pin SOIC W T/R

IR2131STRPBF和IR2131STR的区别

型号: IR2131SPBF

品牌: 英飞凌

封装: REEL 10V 250mA 28Pin

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IR2131STRPBF和IR2131SPBF的区别