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IRS21091PBF

IRS21091PBF

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 主动器件

MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器,半桥,InfineonInfineon 系列高电压端和低电压端半桥 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器 IC栅极驱动电源范围从 6 V 到 20 V CMOS 施密特触发器输入 两个独立的栅极驱动器 匹配的传播延迟,用于两个通道 输出相位,带输入 无铅,符合 RoHS ### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon International Rectifier

MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器,半桥,

Infineon 的栅极驱动器集成电路用于控制 MOSFET 或 IGBT 电源器件,采用半桥配置。

### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon International Rectifier


得捷:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP


立创商城:
半桥 IGBT MOSFET 灌:290mA 拉:600mA


欧时:
Infineon IRS21091PBF 双 半桥 MOSFET 功率驱动器, 600mA, 10 → 20 V电源, 8引脚 PDIP封装


贸泽:
Gate Drivers Hlf Brdg Drvr


艾睿:
Driver 600V 0.6A 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin PDIP Tube


安富利:
Power MOSFET and IGBT Driver, 1/2 Bridge, 600V, 8-pin PDIP, Tube


Verical:
Driver 0.6A 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin PDIP Tube


IRS21091PBF中文资料参数规格
技术参数

上升/下降时间 100ns, 35ns

输出接口数 2

输出电流 290 mA

耗散功率 1 W

上升时间 220 ns

下降时间 80 ns

下降时间Max 80 ns

上升时间Max 220 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 1000 mW

电源电压 10V ~ 20V

电源电压Max 20 V

电源电压Min 10 V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 8

封装 PDIP-8

外形尺寸

长度 10.92 mm

宽度 7.11 mm

高度 5.33 mm

封装 PDIP-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IRS21091PBF引脚图与封装图
IRS21091PBF电路图

IRS21091PBF电路图

在线购买IRS21091PBF
型号 制造商 描述 购买
IRS21091PBF Infineon 英飞凌 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器,半桥,Infineon Infineon 系列高电压端和低电压端半桥 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器 IC 栅极驱动电源范围从 6 V 到 20 V CMOS 施密特触发器输入 两个独立的栅极驱动器 匹配的传播延迟,用于两个通道 输出相位,带输入 无铅,符合 RoHS ### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon International Rectifier 搜索库存