IXDN614SI
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IXYS Semiconductor
主动器件
IXDN614SI中文资料参数规格
技术参数
上升/下降时间 25ns, 18ns
输出接口数 1
上升时间 35 ns
输出电流Max 14 A
下降时间 25 ns
电源电压 4.5V ~ 35V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXDN614SI引脚图与封装图 
IXDN614SI引脚图
IXDN614SI封装图
IXDN614SI封装焊盘图
在线购买IXDN614SI
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXDN614SI | IXYS Semiconductor | IC BUF OR INV BASED MOSFET DRIVER, PDSO8, ROHS COMPLIANT, MS-012BA, SOIC-8, MOSFET Driver | 搜索库存 |
替代型号IXDN614SI
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXDN614SI 品牌： IXYS Semiconductor 封装： Surface | 当前型号 | IC BUF OR INV BASED MOSFET DRIVER, PDSO8, ROHS COMPLIANT, MS-012BA, SOIC-8, MOSFET Driver | 当前型号 |
| 型号： IXDN614SITR 品牌： IXYS Semiconductor 封装： Surface | 完全替代 | 门驱动器 14-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET | IXDN614SI和IXDN614SITR的区别 |