锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

IXDI614SITR

IXDI614SITR

数据手册.pdf
IXYS Semiconductor 主动器件

低边 IGBT MOSFET 灌:14A 拉:14A

低端 栅极驱动器 IC 反相 8-SOIC-EP


欧时:
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC


得捷:
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC


立创商城:
低边 IGBT MOSFET 灌:14A 拉:14A


艾睿:
The IXDI614SITR power driver from Ixys Corporation can provide management of your transistors and switches. This device has a maximum propagation delay time of 70 ns. In order to ensure safe delivery and enable quick mounting of this component after delivery, it will be encased in tape and reel packaging during shipment. This device has a minimum operating supply voltage of 4.5 V and a maximum of 35 V. This gate driver has a minimum operating temperature of -40 °C and a maximum of 125 °C.


Verical:
Driver 14A 1-OUT Lo Side Inv 8-Pin SOIC EP T/R


IXDI614SITR中文资料参数规格
技术参数

上升/下降时间 25ns, 18ns

输出接口数 1

上升时间 35 ns

下降时间 25 ns

下降时间Max 25 ns

上升时间Max 35 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 4.5V ~ 35V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXDI614SITR引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IXDI614SITR
型号 制造商 描述 购买
IXDI614SITR IXYS Semiconductor 低边 IGBT MOSFET 灌:14A 拉:14A 搜索库存
替代型号IXDI614SITR
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IXDI614SITR

品牌: IXYS Semiconductor

封装: Surface

当前型号

低边 IGBT MOSFET 灌:14A 拉:14A

当前型号

型号: IXDI614SI

品牌: IXYS Semiconductor

封装: Surface

完全替代

门驱动器 14-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET

IXDI614SITR和IXDI614SI的区别

型号: IXDD614SITR

品牌: IXYS Semiconductor

封装: SOIC-8

类似代替

IXD_614 系列 35 V 14 A 0.8 Ohm 低压侧 超快 MOSFET 驱动器 - SOIC-8

IXDI614SITR和IXDD614SITR的区别