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IXDF602SI
IXYS Semiconductor 主动器件

Driver 2A 2Out Lo Side Inv/Non-Inv 8Pin SOIC EP Tube

低端 栅极驱动器 IC 反相,非反相 8-SOIC-EP


得捷:
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC


贸泽:
Gate Drivers 2-A Dual Low-Side Ultrafast MOSFET


艾睿:
Driver 2A 2-OUT Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC EP Tube


IXDF602SI中文资料参数规格
技术参数

上升/下降时间 7.5ns, 6.5ns

输出接口数 2

下降时间Max 15 ns

上升时间Max 15 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 4.5V ~ 35V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXDF602SI引脚图与封装图
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IXDF602SI IXYS Semiconductor Driver 2A 2Out Lo Side Inv/Non-Inv 8Pin SOIC EP Tube 搜索库存
替代型号IXDF602SI
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型号: IXDF602SI

品牌: IXYS Semiconductor

封装: Surface

当前型号

Driver 2A 2Out Lo Side Inv/Non-Inv 8Pin SOIC EP Tube

当前型号

型号: IXDF602SIATR

品牌: IXYS Semiconductor

封装: Surface

完全替代

低边 IGBT MOSFET 灌:2A 拉:2A

IXDF602SI和IXDF602SIATR的区别

型号: IXDF602SIA

品牌: IXYS Semiconductor

封装: SOIC

完全替代

IXD 系列 双 低压侧 2 A 超快 MOSFET 驱动器 表面贴装 - SOIC-8

IXDF602SI和IXDF602SIA的区别

型号: IXDF602SITR

品牌: IXYS Semiconductor

封装: Surface

完全替代

低边 IGBT MOSFET 灌:2A 拉:2A

IXDF602SI和IXDF602SITR的区别