IXDD630CI

IXYS Semiconductor 主动器件

低边 IGBT MOSFET 灌:30A 拉:30A

Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting TO-220-5

得捷:
IC GATE DRVR LOW-SIDE TO220-5

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低边 IGBT MOSFET 灌:30A 拉:30A

艾睿:
Driver 30A 1-OUT Low Side Non-Inv 5-Pin5+Tab TO-220 Tube

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IC GATE DRVR LOW-SIDE TO220-5 / Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting TO-220-5

IXDD630CI中文资料参数规格

技术参数

上升/下降时间 11 ns

输出接口数 1

下降时间Max 18 ns

上升时间Max 20 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 12.5V ~ 35V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 5

封装 TO-220-5

外形尺寸

封装 TO-220-5

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

IXDD630CI引脚图与封装图

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