IXDI609SIATR
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
主动器件
IXDI609SIATR中文资料参数规格
技术参数
上升/下降时间 22ns, 15ns
输出接口数 1
输出电流 2 A
上升时间 22 ns
下降时间 15 ns
下降时间Max 25 ns
上升时间Max 35 ns
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 4.5V ~ 35V
电源电压Max 35 V
电源电压Min 4.5 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXDI609SIATR引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IXDI609SIATR
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXDI609SIATR | IXYS Semiconductor | 低边 IGBT MOSFET 灌:9A 拉:9A | 搜索库存 |
替代型号IXDI609SIATR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXDI609SIATR 品牌： IXYS Semiconductor 封装： SOIC-8 | 当前型号 | 低边 IGBT MOSFET 灌:9A 拉:9A | 当前型号 |
| 型号： IXDI609SI 品牌： IXYS Semiconductor 封装： SOIC-8 | 完全替代 | IXD 系列 单 低压侧 9A 外露金属背面 超快 MOSFET 驱动器 SOIC-8 | IXDI609SIATR和IXDI609SI的区别 |
| 型号： IXDI609SIA 品牌： IXYS Semiconductor 封装： SOIC-8 | 类似代替 | 低边 IGBT MOSFET 灌:9A 拉:9A | IXDI609SIATR和IXDI609SIA的区别 |
| 型号： IXDI509SIAT/R 品牌： IXYS Semiconductor 封装： Surface | 类似代替 | Driver 9A 1Out Lo Side Inv 8Pin SOIC T/R | IXDI609SIATR和IXDI509SIAT/R的区别 |