ISL89160FBEAZ
数据手册.pdf
Intersil
英特矽尔
主动器件
ISL89160FBEAZ中文资料参数规格
技术参数
上升/下降时间 20 ns
输出接口数 2
耗散功率 33300 mW
耗散功率Max 33300 mW
电源电压 4.5V ~ 16V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ISL89160FBEAZ引脚图与封装图 
ISL89160FBEAZ引脚图
ISL89160FBEAZ封装图
ISL89160FBEAZ封装焊盘图
在线购买ISL89160FBEAZ
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| ISL89160FBEAZ | Intersil 英特矽尔 | 6A,4.5~16V,高速2通道MOSFET驱动器 | 搜索库存 |
替代型号ISL89160FBEAZ
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： ISL89160FBEAZ 品牌： Intersil 英特矽尔 封装： Surface | 当前型号 | 6A,4.5~16V,高速2通道MOSFET驱动器 | 当前型号 |
| 型号： ISL89160FBEAZ-T 品牌： 英特矽尔 封装： Surface | 完全替代 | MOSFET DRVR 6A 2Out High Speed Full Brdg Non-Inv 8Pin SOIC EP T/R | ISL89160FBEAZ和ISL89160FBEAZ-T的区别 |
| 型号： ISL89160FBEBZ-T 品牌： 英特矽尔 封装： Surface | 完全替代 | MOSFET DRVR 6A 2Out High Speed Full Brdg Non-Inv 8Pin SOIC EP T/R | ISL89160FBEAZ和ISL89160FBEBZ-T的区别 |
| 型号： ISL89160FBEBZ 品牌： 英特矽尔 封装： Surface | 类似代替 | 6A,4.5~16V,高速2通道MOSFET驱动器 | ISL89160FBEAZ和ISL89160FBEBZ的区别 |