IXDN609SITR
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
主动器件
IXDN609SITR中文资料参数规格
技术参数
上升/下降时间 22ns, 15ns
输出接口数 1
下降时间Max 40 ns
上升时间Max 45 ns
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 4.5V ~ 35V
电源电压Max 35 V
电源电压Min 4.5 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
IXDN609SITR引脚图与封装图
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在线购买IXDN609SITR
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXDN609SITR | IXYS Semiconductor | 低边 IGBT MOSFET 灌:9A 拉:9A | 搜索库存 |
替代型号IXDN609SITR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXDN609SITR 品牌： IXYS Semiconductor 封装： SOIC-8 | 当前型号 | 低边 IGBT MOSFET 灌:9A 拉:9A | 当前型号 |
| 型号： IXDN609SI 品牌： IXYS Semiconductor 封装： SOIC-8 | 完全替代 | IXD_609 系列 35 V 9 A 表面贴装 低边 Ultrafast MOSFET 驱动器 - SOIC-8EP | IXDN609SITR和IXDN609SI的区别 |
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