IXDD609SITR
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
主动器件
上升/下降时间 22ns, 15ns
输出接口数 1
下降时间Max 25 ns
上升时间Max 35 ns
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 4.5V ~ 35V
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
IXDD609SITR | IXYS Semiconductor | 低边 IGBT MOSFET 灌:9A 拉:9A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: IXDD609SITR 品牌: IXYS Semiconductor 封装: Surface | 当前型号 | 低边 IGBT MOSFET 灌:9A 拉:9A | 当前型号 | |
型号: IXDD609SI 品牌: IXYS Semiconductor 封装: 8-SOIC | 完全替代 | IXDD609 系列 9 A 35 V 表面贴装 低压侧 超快 Mosfet 驱动器 - SOIC-8 | IXDD609SITR和IXDD609SI的区别 |