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IXDI614YI
IXYS Semiconductor 主动器件

低边 IGBT MOSFET 灌:14A 拉:14A

低端 栅极驱动器 IC 反相 TO-263-5


得捷:
IC GATE DRVR LOW-SIDE TO263-5


立创商城:
低边 IGBT MOSFET 灌:14A 拉:14A


贸泽:
Gate Drivers 14-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET


艾睿:
Use the IXDI614YI power driver from Ixys Corporation for fast switching. This device has a maximum propagation delay time of 70 ns. In order to ensure parts aren&s;t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This device has a minimum operating supply voltage of 4.5 V and a maximum of 35 V. This gate driver has an operating temperature range of -40 °C to 125 °C.


IXDI614YI中文资料参数规格
技术参数

上升/下降时间 25ns, 18ns

输出接口数 1

下降时间Max 25 ns

上升时间Max 35 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 4.5V ~ 35V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TO-263-6

外形尺寸

封装 TO-263-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXDI614YI引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IXDI614YI IXYS Semiconductor 低边 IGBT MOSFET 灌:14A 拉:14A 搜索库存
替代型号IXDI614YI
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IXDI614YI

品牌: IXYS Semiconductor

封装: Surface

当前型号

低边 IGBT MOSFET 灌:14A 拉:14A

当前型号

型号: IXDD614YI

品牌: IXYS Semiconductor

封装: TO-263

完全替代

IXD_614 系列 35 V 14 A 0.8 Ohm 低压侧 超快 MOSFET 驱动器 - TO-263-5

IXDI614YI和IXDD614YI的区别

型号: IXDD609YI

品牌: IXYS Semiconductor

封装: TO-263-5

功能相似

IXDD609 系列 单 35 V 9 A 表面贴装 低边 驱动器 - TO-263-5

IXDI614YI和IXDD609YI的区别