上升/下降时间 25ns, 18ns
输出接口数 1
下降时间Max 25 ns
上升时间Max 35 ns
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 4.5V ~ 35V
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TO-263-6
封装 TO-263-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: IXDI614YI 品牌: IXYS Semiconductor 封装: Surface | 当前型号 | 低边 IGBT MOSFET 灌:14A 拉:14A | 当前型号 | |
型号: IXDD614YI 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-263 | 完全替代 | IXD_614 系列 35 V 14 A 0.8 Ohm 低压侧 超快 MOSFET 驱动器 - TO-263-5 | IXDI614YI和IXDD614YI的区别 | |
型号: IXDD609YI 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-263-5 | 功能相似 | IXDD609 系列 单 35 V 9 A 表面贴装 低边 驱动器 - TO-263-5 | IXDI614YI和IXDD609YI的区别 |