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ISL6612ACBZ-T

ISL6612ACBZ-T

数据手册.pdf
Intersil 英特矽尔 主动器件
ISL6612ACBZ-T中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 13.2V max

上升/下降时间 26ns, 18ns

输出接口数 2

输出电流 3 A

耗散功率 800 mW

上升时间 26 ns

下降时间 18 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 10.8V ~ 13.2V

电源电压Max 13.2 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 0℃ ~ 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

ISL6612ACBZ-T引脚图与封装图
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在线购买ISL6612ACBZ-T
型号 制造商 描述 购买
ISL6612ACBZ-T Intersil 英特矽尔 与预POR过压保护先进的同步整流降压MOSFET驱动器 Advanced Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers with Pre-POR OVP 搜索库存
替代型号ISL6612ACBZ-T
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: ISL6612ACBZ-T

品牌: Intersil 英特矽尔

封装: SOIC 13.2V 8Pin

当前型号

与预POR过压保护先进的同步整流降压MOSFET驱动器 Advanced Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers with Pre-POR OVP

当前型号

型号: ISL6612ACBZ

品牌: 英特矽尔

封装: SOIC-8 10.8V 8Pin

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与预POR过压保护先进的同步整流降压MOSFET驱动器 Advanced Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers with Pre-POR OVP

ISL6612ACBZ-T和ISL6612ACBZ的区别