ISL6613AEIBZ-T
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Intersil
英特矽尔
主动器件
ISL6613AEIBZ-T中文资料参数规格
技术参数
电源电压DC 10.8V min
上升/下降时间 26ns, 18ns
输出接口数 2
耗散功率 2000 mW
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 2000 mW
电源电压 10.8V ~ 13.2V
电源电压Max 13.2 V
电源电压Min 10.8 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ISL6613AEIBZ-T引脚图与封装图
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在线购买ISL6613AEIBZ-T
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| ISL6613AEIBZ-T | Intersil 英特矽尔 | 与预POR过压保护先进的同步整流降压MOSFET驱动器 Advanced Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers with Pre-POR OVP | 搜索库存 |
替代型号ISL6613AEIBZ-T
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： ISL6613AEIBZ-T 品牌： Intersil 英特矽尔 封装： SOIC-8 10.8V 8Pin | 当前型号 | 与预POR过压保护先进的同步整流降压MOSFET驱动器 Advanced Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers with Pre-POR OVP | 当前型号 |
| 型号： ISL6613AEIB-T 品牌： 英特矽尔 封装： | 完全替代 | 与预POR过压保护先进的同步整流降压MOSFET驱动器 Advanced Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers with Pre-POR OVP | ISL6613AEIBZ-T和ISL6613AEIB-T的区别 |
| 型号： ISL6613AEIBZ 品牌： 英特矽尔 封装： SOIC-8 13.2V | 功能相似 | 与预POR过压保护先进的同步整流降压MOSFET驱动器 Advanced Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers with Pre-POR OVP | ISL6613AEIBZ-T和ISL6613AEIBZ的区别 |