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IXDN604SITR

IXDN604SITR

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IXYS Semiconductor 主动器件

IXDN604 系列 35 V 4 A 双 低压侧 超快 MOSFET 驱动器 - SOIC-8

Correctly change the biasing voltage to a high power transistor by using this power driver by Ixys Corporation. This device has a maximum propagation delay time of 50 ns. In order to guarantee safe delivery and allow for quick mounting of this component after delivery, it will be enclosed in tape and reel packaging during shipment. This device has a minimum operating supply voltage of 4.5 V and a maximum of 35 V. This gate driver has an operating temperature range of -40 °C to 125 °C.

IXDN604SITR中文资料参数规格
技术参数

上升/下降时间 9ns, 8ns

输出接口数 2

输出电流Max 4 A

电源电压 4.5V ~ 35V

电源电压Max 35 V

电源电压Min 4.5 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

IXDN604SITR引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IXDN604SITR IXYS Semiconductor IXDN604 系列 35 V 4 A 双 低压侧 超快 MOSFET 驱动器 - SOIC-8 搜索库存
替代型号IXDN604SITR
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IXDN604SITR

品牌: IXYS Semiconductor

封装: SOIC-8

当前型号

IXDN604 系列 35 V 4 A 双 低压侧 超快 MOSFET 驱动器 - SOIC-8

当前型号

型号: IXDN604SI

品牌: IXYS Semiconductor

封装: SOIC-8

完全替代

IXDN 系列 35 V 4 A 1.3 Ohm 双通道低压侧 超快 MOSFET 驱动器 - SOIC-8

IXDN604SITR和IXDN604SI的区别