IXDF602PI

IXYS Semiconductor 主动器件

低边 IGBT MOSFET 灌:2A 拉:2A

低端栅极驱动器 IC 反相，非反相 8-DIP

立创商城:
低边 IGBT MOSFET 灌:2A 拉:2A

得捷:
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP

艾睿:
Driver 2A 2-OUT Lo Side Inv/Non-Inv 8-Pin DIP Tube

IXDF602PI中文资料参数规格

技术参数

上升/下降时间 7.5ns, 6.5ns

电源电压 4.5V ~ 35V

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 DIP-8

外形尺寸

封装 DIP-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXDF602PI引脚图与封装图

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