IXDN602D2TR
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
主动器件
IXDN602D2TR中文资料参数规格
技术参数
上升/下降时间 7.5ns, 6.5ns
输出接口数 2
下降时间Max 15 ns
上升时间Max 15 ns
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 4.5V ~ 35V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 DFN-8
外形尺寸
封装 DFN-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXDN602D2TR引脚图与封装图
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|---|---|---|---|
| IXDN602D2TR | IXYS Semiconductor | 低边 IGBT MOSFET 灌:2A 拉:2A | 搜索库存 |