IX2127G
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
主动器件
上升/下降时间 23ns, 20ns
输出接口数 1
耗散功率 1000 mW
下降时间Max 65 ns
上升时间Max 130 ns
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 1000 mW
电源电压 9V ~ 12V
安装方式 Through Hole
引脚数 8
封装 DIP-8
高度 3.3 mm
封装 DIP-8
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free