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IXDI602SIA

IXDI602SIA

数据手册.pdf
IXYS Semiconductor 主动器件

IXDI 系列 35 V 2 A 2.5 Ohm 低压侧 超快 MOSFET 驱动器 - SOIC-8

低端 栅极驱动器 IC 反相 8-SOIC


得捷:
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC


立创商城:
低边 IGBT MOSFET 灌:2A 拉:2A


艾睿:
Switch between states in a high power transistor by using this IXDI602SIA power driver developed by Ixys Corporation. This device has a maximum propagation delay time of 60 ns. In order to ensure parts aren&s;t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This device has a minimum operating supply voltage of 4.5 V and a maximum of 35 V. This gate driver has an operating temperature range of -40 °C to 125 °C.


Chip1Stop:
Driver 2A 2-OUT Lo Side Inv 8-Pin SOIC Tube


Verical:
Driver 2A 2-OUT Low Side Inv 8-Pin SOIC Tube


IXDI602SIA中文资料参数规格
技术参数

上升/下降时间 7.5ns, 6.5ns

输出接口数 2

上升时间 15 ns

输出电流Max 2 A

下降时间 15 ns

下降时间Max 15 ns

上升时间Max 15 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 4.5V ~ 35V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Rail, Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

IXDI602SIA引脚图与封装图
IXDI602SIA引脚图

IXDI602SIA引脚图

IXDI602SIA封装图

IXDI602SIA封装图

IXDI602SIA封装焊盘图

IXDI602SIA封装焊盘图

在线购买IXDI602SIA
型号 制造商 描述 购买
IXDI602SIA IXYS Semiconductor IXDI 系列 35 V 2 A 2.5 Ohm 低压侧 超快 MOSFET 驱动器 - SOIC-8 搜索库存
替代型号IXDI602SIA
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IXDI602SIA

品牌: IXYS Semiconductor

封装: Surface

当前型号

IXDI 系列 35 V 2 A 2.5 Ohm 低压侧 超快 MOSFET 驱动器 - SOIC-8

当前型号

型号: IXDI602SITR

品牌: IXYS Semiconductor

封装: Surface

完全替代

低边 IGBT MOSFET 灌:2A 拉:2A

IXDI602SIA和IXDI602SITR的区别

型号: IXDI602SI

品牌: IXYS Semiconductor

封装: Surface

完全替代

门驱动器 2-A Dual Low-Side Ultrafast MOSFET

IXDI602SIA和IXDI602SI的区别

型号: IXDI602SIATR

品牌: IXYS Semiconductor

封装: Surface

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