ISL89164FBECZ
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Intersil
英特矽尔
主动器件
ISL89164FBECZ中文资料参数规格
技术参数
上升/下降时间 20 ns
输出接口数 2
耗散功率 33300 mW
耗散功率Max 33300 mW
电源电压 7.5V ~ 16V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ISL89164FBECZ引脚图与封装图 
ISL89164FBECZ引脚图
ISL89164FBECZ封装图
ISL89164FBECZ封装焊盘图
在线购买ISL89164FBECZ
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| ISL89164FBECZ | Intersil 英特矽尔 | 6A,高速2通道MOSFET驱动器带使能输入 | 搜索库存 |
替代型号ISL89164FBECZ
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： ISL89164FBECZ 品牌： Intersil 英特矽尔 封装： Surface | 当前型号 | 6A,高速2通道MOSFET驱动器带使能输入 | 当前型号 |
| 型号： ISL89164FBECZ-T 品牌： 英特矽尔 封装： Surface | 完全替代 | MOSFET DRVR 6A 2Out Inv 8Pin SOIC EP T/R | ISL89164FBECZ和ISL89164FBECZ-T的区别 |