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IR2233PBF
Infineon(英飞凌) 主动器件

P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器,三相,

一系列半桥驱动器设计用于控制 3 相应用中的 MOSFET 和 IGBT 功率设备。该设备具有 600 V 的最大阻塞电压,且使用 CMOS 和 TTL 兼容的信号级别进行低侧控制。

### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon International Rectifier


得捷:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28DIP


欧时:
3-Phase Bridge MOSFET Driver 500mA DIP28


立创商城:
IR2233PBF


贸泽:
Gate Drivers 3Phs Drvr Sep Hi&Lw; Side Input 200ns


艾睿:
Driver 1.2KV 0.5A 6-OUT High and Low Side 3-Phase Brdg Inv 28-Pin PDIP Tube


Allied Electronics:
3 PHASE DRIVER; SEPARATE HIGH AND LOW SIDE INPUTS; 28-PIN DIP


安富利:
MOSFET DRVR 1.2KV 0.5A 6-OUT Hi/Lo Side 3-Phase Brdg Inv 28-Pin PDIP


Chip1Stop:
Driver 1.2KV 0.5A 6-OUT Hi/Lo Side 3-Phase Brdg Inv 28-Pin PDIP


TME:
Driver; high-/low-side switch, gate driver; -420÷200mA; 1.5W


Verical:
Driver 1.2KV 0.5A 6-OUT High and Low Side 3-Phase Brdg Inv 28-Pin PDIP Tube


IR2233PBF中文资料参数规格
技术参数

上升/下降时间 90ns, 40ns

输出接口数 6

输出电流 200 mA

耗散功率 1.5 W

上升时间 150 ns

下降时间 70 ns

下降时间Max 70 ns

上升时间Max 150 ns

工作温度Max 125 ℃

耗散功率Max 1500 mW

电源电压 10V ~ 20V

电源电压Max 20 V

电源电压Min 10 V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 28

封装 PDIP-28

外形尺寸

长度 39.75 mm

宽度 14.73 mm

高度 6.35 mm

封装 PDIP-28

物理参数

工作温度 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

IR2233PBF引脚图与封装图
IR2233PBF电路图

IR2233PBF电路图

在线购买IR2233PBF
型号 制造商 描述 购买
IR2233PBF Infineon 英飞凌 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3 搜索库存
替代型号IR2233PBF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IR2233PBF

品牌: Infineon 英飞凌

封装: REEL

当前型号

P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

当前型号

型号: IR2233

品牌: 英飞凌

封装: PDIP

完全替代

MOSFET DRVR 1.2kV 0.5A 6Out Hi/Lo Side 3-Phase Brdg Inv 28Pin PDIP

IR2233PBF和IR2233的区别