
上升/下降时间 20 ns
输出电流 6 A
耗散功率 33.3 W
上升时间 20 ns
下降时间 20 ns
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 4.5V ~ 16V
安装方式 Surface Mount
封装 SOIC-8
长度 4.98 mm
宽度 3.99 mm
高度 1.47 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free

ISL89161FBEBZ引脚图

ISL89161FBEBZ封装图

ISL89161FBEBZ封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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ISL89161FBEBZ | Intersil 英特矽尔 | 6A,4.5~16V,高速2通道MOSFET驱动器 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: ISL89161FBEBZ 品牌: Intersil 英特矽尔 封装: Surface | 当前型号 | 6A,4.5~16V,高速2通道MOSFET驱动器 | 当前型号 | |
型号: ISL89161FBEAZ 品牌: 英特矽尔 封装: Surface | 完全替代 | 6A,4.5~16V,高速2通道MOSFET驱动器 | ISL89161FBEBZ和ISL89161FBEAZ的区别 | |
型号: ISL89161FRTAZ 品牌: 英特矽尔 封装: TDFN | 类似代替 | 6A高速双通道,低边功率MOSFET驱动 | ISL89161FBEBZ和ISL89161FRTAZ的区别 | |
型号: ISL89161FBEAZ-T 品牌: 英特矽尔 封装: SOIC | 类似代替 | MOSFET DRVR 6A 2Out High Speed Full Brdg Inv 8Pin SOIC EP T/R | ISL89161FBEBZ和ISL89161FBEAZ-T的区别 |