IRS2330DJTRPBF
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
电子元器件分类
IRS2330DJTRPBF中文资料参数规格
技术参数
上升/下降时间 80ns, 35ns
输出接口数 6
耗散功率 2000 mW
下降时间Max 55 ns
上升时间Max 125 ns
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 2000 mW
电源电压 10V ~ 20V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 32
封装 PLCC-44
外形尺寸
封装 PLCC-44
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IRS2330DJTRPBF引脚图与封装图 
IRS2330DJTRPBF电路图
在线购买IRS2330DJTRPBF
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRS2330DJTRPBF | Infineon 英飞凌 | 半桥 IGBT MOSFET 灌:250mA 拉:500mA | 搜索库存 |
替代型号IRS2330DJTRPBF
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRS2330DJTRPBF 品牌： Infineon 英飞凌 封装： | 当前型号 | 半桥 IGBT MOSFET 灌:250mA 拉:500mA | 当前型号 |
| 型号： IRS2330DJPBF 品牌： 英飞凌 封装： PLCC-32 | 功能相似 | MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器，三相，Infineon### MOSFET 和 IGBT 驱动器，Infineon International Rectifier | IRS2330DJTRPBF和IRS2330DJPBF的区别 |