ISL6614ACBZ
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Intersil
英特矽尔
主动器件
ISL6614ACBZ中文资料参数规格
技术参数
电源电压DC 13.2V max
上升/下降时间 26ns, 18ns
输出接口数 4
耗散功率 1000 mW
耗散功率Max 1000 mW
电源电压 10.8V ~ 13.2V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 14
封装 SOIC-14
外形尺寸
封装 SOIC-14
物理参数
工作温度 0℃ ~ 85℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ISL6614ACBZ引脚图与封装图 
ISL6614ACBZ引脚图
ISL6614ACBZ封装图
ISL6614ACBZ封装焊盘图
在线购买ISL6614ACBZ
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| ISL6614ACBZ | Intersil 英特矽尔 | 与预POR过压保护的双高级同步整流降压MOSFET驱动器 Dual Advanced Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers with Pre-POR OVP | 搜索库存 |
替代型号ISL6614ACBZ
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： ISL6614ACBZ 品牌： Intersil 英特矽尔 封装： SOIC-Narrow-14 13.2V 14Pin | 当前型号 | 与预POR过压保护的双高级同步整流降压MOSFET驱动器 Dual Advanced Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers with Pre-POR OVP | 当前型号 |
| 型号： ISL6614ACBZA-T 品牌： 英特矽尔 封装： SOIC 13.2V 14Pin | 完全替代 | 与预POR过压保护的双高级同步整流降压MOSFET驱动器 Dual Advanced Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers with Pre-POR OVP | ISL6614ACBZ和ISL6614ACBZA-T的区别 |
| 型号： ISL6614ACBZ-T 品牌： 英特矽尔 封装： SOIC 13.2V 14Pin | 类似代替 | 与预POR过压保护的双高级同步整流降压MOSFET驱动器 Dual Advanced Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers with Pre-POR OVP | ISL6614ACBZ和ISL6614ACBZ-T的区别 |
| 型号： ISL6614ACB 品牌： 英特矽尔 封装： SOIC 12V 14Pin | 类似代替 | Pre-POR OVP功能的高级同步降压双MOSFET驱动器 | ISL6614ACBZ和ISL6614ACB的区别 |