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IR3598MTRPBF

IR3598MTRPBF

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 电子元器件分类

P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

半桥 栅极驱动器 IC 非反相 16-QFN(3x3)


立创商城:
半桥 MOSFET


得捷:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16QFN


艾睿:
Driver 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 16-Pin QFN EP T/R


安富利:
Dual/Doubler Interleaved MOSFET Driver


IR3598MTRPBF中文资料参数规格
技术参数

上升/下降时间 15ns, 12ns

输出接口数 1

针脚数 16

上升时间 15 ns

下降时间 12 ns

下降时间Max 17 ns

上升时间Max 15 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V

电源电压Max 13 V

电源电压Min 4 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 16

封装 QFN-16

外形尺寸

封装 QFN-16

物理参数

工作温度 0℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Graphic Boards, MultiPhase, Notebooks Portables, Servers and Storage, Desktop and Workstations

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IR3598MTRPBF引脚图与封装图
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在线购买IR3598MTRPBF
型号 制造商 描述 购买
IR3598MTRPBF Infineon 英飞凌 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3 搜索库存
替代型号IR3598MTRPBF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IR3598MTRPBF

品牌: Infineon 英飞凌

封装:

当前型号

P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

当前型号

型号: IR3598MTR1PBF

品牌: 英飞凌

封装:

完全替代

IC MOSFET DRVR N-CH DUAL 16QFN

IR3598MTRPBF和IR3598MTR1PBF的区别