ISL89411IBZ
数据手册.pdf
Intersil
英特矽尔
主动器件
上升/下降时间 7.5ns, 10ns
输出接口数 2
输出电流 2 A
耗散功率 570 mW
上升时间 10 ns
下降时间 13 ns
下降时间Max 20 ns
上升时间Max 20 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min 10 ℃
耗散功率Max 570 mW
电源电压 4.5V ~ 18V
电源电压Max 18 V
电源电压Min 4.5 V
安装方式 Surface Mount
封装 SOIC-8
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ISL89411IBZ引脚图
ISL89411IBZ封装图
ISL89411IBZ封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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ISL89411IBZ | Intersil 英特矽尔 | 2A,高速2通道MOSFET驱动器 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: ISL89411IBZ 品牌: Intersil 英特矽尔 封装: SOIC-8 | 当前型号 | 2A,高速2通道MOSFET驱动器 | 当前型号 | |
型号: ISL89411IBZ-T13 品牌: 英特矽尔 封装: SOIC | 完全替代 | 高速,双通道功率MOSFET驱动器 High Speed, Dual Channel Power MOSFET Drivers | ISL89411IBZ和ISL89411IBZ-T13的区别 |